PRIME B350-PLUS のUEFI BIOSのアップデート他

昨日ASUSのサイトに、PRIME B350-PLUS のUEFI BIOS「0613」がアップロードされていたので、更新してみた。

尚、元々のバージョンは「0606」で、0606～0613までの更新内容は以下の通り。


バージョン 0613
Improve system stability
更新 2017/05/24

バージョン 0609
Improve memory stability
更新 2017/04/25

バージョン 0606
Update AGESA to 1.0.0.4a
更新 2017/04/10


残念ながら本日AMDからリリースが発表されたAGESA 1.0.0.6はまだ適用されていないようだ。

AMD，Ryzen向け新ファームウェア「AGESA 1.0.0.6」のリリースを発表
http://www.4gamer.net/games/300/G030061/20170526032/

しかし0609でメモリの安定性が、0613ではシステムの安定性が改善されているようである。
ASUSはRYZENデビュー後すぐに、更新するとマザーボードが死ぬUEFI BIOSを配布した前科があるためにアップロード直後の更新を入れるには不安が大きいが、万が一UEFI BIOSが壊れても私にはROMライターがあるので更新に踏み切った。


なお、更新には公式サイトからダウンロードしたROMファイルをFAT32のUSB2.0対応USBメモリにコピーして、UEFI BIOSのGUIから EZ Flash3を使って更新した。


結果は更新に成功、再起動も問題なく起動して来た。

この最新UEFI BIOSによるCPUとメモリのオーバークロックがどのように変化したかの検証は出来ないが、更新作業に問題が無ければとりあえずマザーボードが死ぬことは無さそうだ。



次の話題は最新の半導体製造プロセスに関するニュース。

昨日こんな記事が出ていたので読んでみた。

IMECの半導体ロードマップ展望
http://eetimes.jp/ee/articles/1705/24/news048.html


この記事によると、半導体の製造プロセスは現時点で13Å(オングストローム)まで見えているようだ。

Åは現在半導体製造プロセスの最小単位であるnm(ナノメートル)の、ナノの1/10だ。つまり13Åは1.3nmという事になる。14nmのさらに1/10までが可能だと、この記事では言っているのだ。

Å単位まで縮小されるとなると、もう原子数個分という大きさになる。例えば半導体の基板に使われる珪素原子の半径は1.11Åだから、13Åだと珪素原子６個分弱しかない。

私には、そんなんで電流の流れを制御できるのか？という疑問が湧くし、出来たとしてもリーク電流の問題もあるとも思う。私程度の低知能ではまるで想像が付かない世界だから、実際には問題解決の方法などすでに目処が立っているのかもしれない。


また、それ以前にリソグラフィの問題もある。

リソグラフィは光で硬化する樹脂を使い、半導体を構成する各材料の残す部分だけ硬化させて覆い、不要な部分は硬化していない樹脂を洗い流してから腐食液で腐食させて除去するという工程に必要なものだ。

だが、原子数個分の幅で高分子材料である樹脂を適切に硬化させる事など可能なのだろうか。


まあ、素人がどのような心配をした所でどうにかなるものではないが。

2019年に出るという7nmの新型RYZENも、半導体製造プロセスがこの記事の予測通りに進歩するのであれば心配は無用である。

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by 最新バージョンのURLください (2017-06-23 19:58)